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傳(chuán)統使用(yòng)的單晶(jing)爐所存(cún)在的問(wèn)題

[2014/7/9]

     近年(nián)來,全球(qiu)範圍内(nei)的光伏(fú)發電産(chǎn)業發展(zhan)迅速,其(qi)中晶矽(xi)組件的(de)比例占(zhan)到了87% ,晶(jīng)矽組件(jiàn)質量的(de)優劣及(jí)價格在(zài)一定程(cheng)度上影(yǐng)響着光(guāng)伏組件(jian)的效率(lǜ)和成本(ben)。因此,面(mian)對日趨(qū)競争激(ji)烈的市(shi)場需求(qiú),降低晶(jing)矽組件(jian)的生産(chan)成本,提(ti)高産品(pǐn)質量成(chéng)爲了目(mu)前光伏(fú)産業中(zhōng)亟待解(jiě)決的問(wèn)題之一(yī) 。

    在晶矽(xi)組件中(zhong),單晶矽(xi)組件與(yǔ)多晶矽(xi)組件相(xiàng)比,因其(qi)具有較(jiào)高的光(guang)電轉換(huàn)率、發電(diàn)性穩定(dìng)等優點(dian)而在市(shì)場上占(zhàn)據重要(yào)的地位(wei)。單晶爐(lu)是單晶(jīng)矽組件(jiàn)生産過(guo)程中的(de)主要生(sheng)産設備(bèi),各單晶(jing)生産廠(chǎng)商主要(yào)采用二(er)次增料(liao)技術來(lái)提高單(dān)晶爐的(de)生産效(xiao)率。目前(qián),國内單(dān)晶生産(chǎn)廠商在(zài)單晶爐(lu)二次增(zeng)料裝置(zhì)方面取(qǔ)得了一(yi)定的成(cheng)果。但是(shì),在長期(qī)的生産(chan)應用過(guo)程中這(zhe)些裝置(zhì)都有不(bu)同程度(dù)的缺陷(xiàn),爲了提(tí)高二次(cì)增料裝(zhuang)置的性(xìng)能,本文(wén)對原裝(zhuāng)置進行(hang)了結構(gou)改進。

    單(dan)晶爐二(er)次增料(liao)時的原(yuán)料形狀(zhuàng)一般分(fèn)爲塊狀(zhuàng)矽料、粉(fěn)末狀矽(xī)料和棒(bàng)狀矽料(liào)。粉末狀(zhuang)矽料可(ke)以利用(yong)專用設(shè)備壓制(zhì)成塊狀(zhuang),棒狀矽(xi)料經過(guò)水爆機(ji)後形成(chéng)塊狀矽(xī)料。因此(ci).塊狀矽(xī)料的二(er)次增料(liào)裝置可(kě)以實現(xian)三種不(bú)同形狀(zhuàng)矽料往(wǎng)單晶爐(lú)内的添(tian)加,大多(duo)數企業(yè)采用塊(kuai)狀矽料(liào)二次增(zeng)料裝置(zhì)來實現(xian)單晶爐(lu)生産效(xiào)率的提(tí)高, 圖1爲(wei)某塊狀(zhuàng)矽料的(de)單晶爐(lu)二次增(zeng)料裝置(zhi)結構示(shi)意圖。

    該(gai)二次增(zeng)料裝置(zhì)的工作(zuò)原理是(shì):拉杆1可(kě)以在固(gu)定圈2和(he)定位圈(quan)4内左右(you)移動,當(dang)沿着豎(shù)直方向(xiang)提起拉(lā)杆1時,拉(la)杆1底部(bù)的錐形(xíng)面與外(wài)簡5相接(jiē)觸,此時(shi),将塊狀(zhuang)矽料從(cóng)固定圈(quan)2與外筒(tǒng)5之間的(de)空隙中(zhōng)添加至(zhì)外筒5内(nèi),直至添(tiān)滿,從而(ér)實現二(èr)次增料(liào)裝置的(de)裝料;接(jiē)着,提拉(lā)盛滿塊(kuai)狀矽料(liao)的二次(ci)增料裝(zhuāng)置至單(dan)晶爐内(nei),使支撐(chēng)圈3與單(dān)晶爐内(nei)部的匹(pǐ)配部位(wèi)相吻合(he),松開提(ti)拉杆1,在(zài)矽料重(zhòng)力的作(zuo)用下,拉(la)杆1底部(bù)的錐面(mian)與外筒(tong)5相分離(lí),此時拉(la)杆1底部(bù)的錐面(mian)位置如(rú)虛線所(suǒ)示,塊狀(zhuang)矽料從(cóng)外筒5與(yǔ)拉杆1底(dǐ)部錐面(mian)之間的(de)空隙流(liú)人盛有(you)熔融矽(xī)料的石(shi)英坩埚(guo)中,二次(ci)增料裝(zhuang)置内的(de)矽料自(zì)由下到(dao)單晶爐(lú)内的石(shi)英坩埚(guō)中,實現(xiàn)單晶爐(lu)的二次(cì)增料。

    該單晶(jing)爐 二次(ci)增料裝(zhuāng)置存在(zài)主要問(wen)題如下(xia):

    (2)、污染(rǎn):矽料在(zài)實現落(luò)料的過(guò)程中,拉(la)杆1底部(bù)錐面會(hui)被下面(miàn)熔融矽(xi)料(單晶(jing)爐内)的(de)高溫所(suo)氧化而(er)污染矽(xī)料,從而(er)影響拉(lā)晶工藝(yì)或矽棒(bang)質量等(deng)缺點。

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